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鋁碳化硅為什么可以成為IGBT基板的制作材料?

發(fā)布時間:2022-12-06   瀏覽次數(shù):424次

大電流IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在工作時,會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中,考慮的目標是消除熱結(jié)。那么,需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。

銅基板具有良好的導(dǎo)熱能力,但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍,而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm,這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話,焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán),焊接外緣就會出現(xiàn)分層脫離。這種情況下,壓接方案相對可行。但壓接法制造出的模塊,如果長期在震動環(huán)境下使用,如軌道機車、電動汽車、飛機等,其可靠性會大幅下降。那么,如何牢固封裝高功率IGBT模塊,使其在震動、高溫、粉塵等環(huán)境下可使用呢?業(yè)界的辦法是采用鋁碳化硅材料來制作IGBT基板。

鋁碳化硅的典型熱膨脹系數(shù)為79ppm/℃,參考芯片的6 ppm/℃,如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板,那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時鋁碳化硅材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達200235W/mK (25℃),比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗證明,采用鋁碳化硅材料制作的IGBT基板,經(jīng)過上萬次熱循環(huán),模塊工作良好如初,焊層完好。

鋁碳化硅材料很輕,只有銅材的1/3,和鋁差不多,但抗彎強度卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)優(yōu)秀,超過銅基板。因此,在高功率電子封裝方面,鋁碳化硅材料以其獨特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替代的材質(zhì)。

22
2022.02
一箭22星

北京時間2022年2月27日11時06分,我國在文昌發(fā)射場使用長征八號運載火箭,以“1箭22星”方式,成功將泰景三號01衛(wèi)星、泰景四號01衛(wèi)星、海南一號01/02星22顆衛(wèi)星發(fā)射升空。本次飛行試驗搭載了22顆衛(wèi)星,創(chuàng)中國一箭多星最高紀錄。


本次發(fā)射的22顆衛(wèi)星總計完成12次分離動作,在此過程中,長八火箭宛如跳了一出‘芭蕾’,而22顆星的釋放就如‘天女散花’一般。三層式多星分配器從下到上分別由錐形支架、中心承力筒和圓盤平臺組成。其中,錐形支架搭載2顆衛(wèi)星,中心承力筒搭載14顆衛(wèi)星,圓盤平臺搭載6顆衛(wèi)星,完美將22顆衛(wèi)星裝進整流罩中。


由多個小衛(wèi)星“拼車”完成的“共享發(fā)射”新模式,既可充分發(fā)揮火箭能力,又能有效滿足市場需求。隨著電子元器件和衛(wèi)星有效載荷技術(shù)的快速發(fā)展,衛(wèi)星的功能也越來越強大。重量只有幾公斤到幾十公斤的微納衛(wèi)星、甚至更小的皮衛(wèi)星就可以完成很多過去只有大衛(wèi)星才能完成的任務(wù)。

長征八號新構(gòu)型首飛,同時創(chuàng)造了我國“一箭多星”的新紀錄,這實在是一件值得驕傲的事!未來,中國航天必將會帶來更多驚喜,我們拭目以待!

28
2022.03
半導(dǎo)體材料發(fā)展前景

隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展,對半導(dǎo)體器件的需求日益增長,同時也催生了市場對半導(dǎo)體材料的需求,半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。在國家鼓勵半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向下,本土半導(dǎo)體材料廠商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力,逐漸打破了國外半導(dǎo)體廠商的壟斷格局,推進中國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化進程,促進中國半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。


數(shù)據(jù)顯示,2017-2019年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模逐年增長,從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計,2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來自中國大陸,占比超過40%,成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時代的來臨,汽車電動化進程拉動IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求,IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長,IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元,2020年到2026年將以7.5%的復(fù)合年增長率CAGR增長,預(yù)計2026年市場規(guī)模為84億美元新能源車應(yīng)用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量,2020年市場規(guī)模為為5.09億美元,2020-2026年的復(fù)合年增長率為23%,預(yù)計2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。


   隨著5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時代的到來,中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速與全面布局,正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國、中國臺灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場,并且繼續(xù)保持最快的增速,預(yù)計半導(dǎo)體市場增長將持續(xù)帶動半導(dǎo)體材料行業(yè)快速發(fā)展。

23
2022.07
加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備

加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 ,你知道嗎,下面我們一起了解一下吧。

鋁碳化硅是一種新型復(fù)合材料,它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,鋁碳化硅的應(yīng)用前景也會變得越來越廣泛,在近幾年人們也比較注重于這領(lǐng)域當中。目前在國內(nèi)生產(chǎn)鋁碳化硅雕銑機的廠家雖然是有的,但是還是很少,許多加工企業(yè)對于這種鋁碳化硅的新型材料接觸還是比較少的。其實鋁碳化硅雕銑機也是屬于數(shù)控機床的一種,我們在普通雕銑機的原基礎(chǔ)上,經(jīng)過研發(fā)創(chuàng)新的一種可以加工鋁碳化硅的專用雕銑機。

鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱,采用的是Al合金作基體,按設(shè)計要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作增強體,構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能,充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強度,成為新一代電子封裝材料選擇。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求,適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域,是解決熱學(xué)管理問題的先選材料,其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力。

如果想要對鋁碳化硅進行精密加工,選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機。也并不是說普通雕銑機就不可以加工鋁碳化硅,但是使用普通雕銑機的機床防護性能比較差,而在加工鋁碳化硅過程中會產(chǎn)生大量粉塵容易進入機床導(dǎo)軌和絲桿,導(dǎo)致加工精度下滑,也容易導(dǎo)致減少機床的使用壽命。那為什么選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機呢?因為鋁碳化硅雕銑機具備了優(yōu)異的機床防護性能,Y軸采用的是盔甲防護罩+風(fēng)琴防護罩,有效防止在加工鋁碳化硅過程中的粉塵進入機床導(dǎo)軌以及絲杠內(nèi)部;并且我們還優(yōu)化了機床鑄件的結(jié)構(gòu),將機床在運行過程中產(chǎn)生的振動降到低,確保鋁碳化硅的加工精度更高。

鋁碳化硅結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁綜合優(yōu)越性能,成為新一代電子封裝材料中選擇。目前這種鋁碳化硅的新型材料現(xiàn)在有越來越多的人們知道,用途逐漸的被開發(fā)出來,新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力,而作為鋁碳化硅的專用雕銑機:鋁碳化硅雕銑機也會具有很大的市場潛力。

以上是加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 的介紹,提供大家參考。

23
2022.07
AlSic有哪些性能特點

AlSiC即鋁碳化硅 ,是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱,業(yè)內(nèi)又稱碳化硅鋁或“奧賽克”。根據(jù)碳化硅的含量分為低體積分數(shù)、中體積分數(shù)和高體積分數(shù),其中電子材料應(yīng)用以高體積分數(shù)為主。電子封裝中常用的有AlSiC7、AlSiC8系列。你了解多少,下面一起了解一下吧。

■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率(180~240W/mK)和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍,芯片產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣,整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復(fù)合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整,因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計,能夠真正地做到量體裁衣,這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當,比銅和Kovar輕得多,還不到Cu/W的五分之一,特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC的比剛度(剛度除以密度)是所有電子材料中比較高的:是鋁的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是銅的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好,因此是惡劣環(huán)境(震動較大,如航天、汽車等領(lǐng)域)下的首 選材料。

■ AlSiC可以大批量加工,但加工的工藝取決于碳化硅的含量,可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等,表面也可以進行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上,用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是,與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

以上是AlSic有哪些性能特點的介紹,提供大家參考。

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