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? 原材料: AISiC
? 成型工藝:鑄造成型+CNC加工
? 尺寸范圍: <224mm
? 厚度范圍: 0.5-8mm
? 性能參數(shù):熱導(dǎo)率>200(W/mK) 25℃，線膨脹系數(shù)7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm³)
? 標(biāo)準(zhǔn)尺寸:187*137*5mm;137*127*5mm
? 拱度設(shè)計(jì):單面拱度，拱度精度±30um
? 鍍層處理:化學(xué)鎳+電鍍鎳
? 焊后空洞率:單元焊接區(qū)域<1%:整體基板焊接區(qū)域<3%
? 鹽霧時(shí)間: 48hrs
? 高溫考核:285+10℃ 20min
? 適配模塊:部分電壓1700VIGBT模塊及3300V以上高壓模塊
? 適用領(lǐng)域:中壓變流器、大功率變流器、牽引變流器、電機(jī)傳動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電機(jī)等

? 材料優(yōu)勢(shì):熱膨脹系數(shù)與芯片材料及陶瓷覆銅板匹配，可提高IGBT模塊抗熱疲勞能力和使用壽命

? 原材料:C1100 (T2)純銅；硬度80-110HV
? 成型工藝:沖壓/沖壓+CNC/冷鍛
? 尺寸范圍: <224mm
? 厚度范圍: 1-13mm
? 拱度設(shè)計(jì):雙面拱度: X軸和Y軸預(yù)彎曲，曲面精度±30um
? 鍍層處理: 電鍍/化鍍/氨基磺酸鎳；鍍層厚度: 2-8um
? 焊后空洞率:單元焊接區(qū)域<1%；整體基板焊接區(qū)域<3%
? 鹽霧時(shí)間: 24hrs
? 高溫考核: 260℃30min
? 適配模塊:600V以下低壓IGBT模塊及600-1200V中壓IGBT模塊
? 適用領(lǐng)域:消費(fèi)電子、新能源車、光伏、家電、工業(yè) (電焊機(jī)、UPS) 等領(lǐng)域

? 材料特性:熱導(dǎo)率高、價(jià)格便宜、可大批量生產(chǎn)

思萃熱控-無(wú)氧銅材料化學(xué)成分

? 原材料: AISiC
? 成型工藝:模具鑄造成型/CNC
? 尺寸精度:±0.05mm
? 平面度:<0.05
? 粗糙度:外觀面Ra1.6；粘接面Ra2.0以上
? 最小設(shè)計(jì)厚度: 0.3mm
? 性能參數(shù):熱導(dǎo)率>200(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm³)
? 鍍層處理:化學(xué)鍍暗鎳，厚度10-25μm
? 鹽霧時(shí)間:48hrs
? 高溫考核:270℃30min
? 應(yīng)用封裝: FPGA/CBGA/CCGA類陶瓷基板封裝用散熱蓋、熱沉
? 適用領(lǐng)域:航空航天，軍工國(guó)防，通信基站等領(lǐng)域
? 材料特性:輕質(zhì)材料，可降低BGA中每個(gè)焊球承受的重量；抗彎強(qiáng)度高，在組裝過(guò)程中可以有效控制翹曲以改善焊接；線膨脹系數(shù)與陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保證了封裝后散熱通道，提高了器件的可靠性

? 原材料: T2/C1100
? 結(jié)構(gòu): Hat (dimple)；Forged；Stiffener Ring
? 成型工藝:沖壓/CNC
? 平面度: <0.05
? 粗糙度:外觀面Ra0.2-0.6；粘接面Ra2.0以上
? 性能參數(shù): 熱導(dǎo)率401(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)17.7(CTEppm/℃)，密度9.0(g/cm³)
? 鍍層處理: 化學(xué)鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度2-10μm
? 鹽霧時(shí)間: 48hrs
? 高溫考核:270℃30min
? 應(yīng)用封裝:用于個(gè)人計(jì)算機(jī)的和服務(wù)器的CPU封裝，汽車設(shè)備的SOC/FPGA封裝，通信設(shè)備的處理器封裝，游戲系統(tǒng)處理器和圖像處理器以及人工智能處理器等封裝
? 材料特性:熱導(dǎo)率高、價(jià)格便宜、成型容易，可做多種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可大批量生產(chǎn)

獨(dú)特的雙面水冷技術(shù)，取消了綁定線設(shè)計(jì)，將功率模塊放置于兩塊銅散熱基板中間，通過(guò)中間冷卻水循環(huán)實(shí)現(xiàn)散熱，可以有效提高功率密度和導(dǎo)熱效率，控制結(jié)溫。減少體積和重量，縮減制造成本。

IGBT模組液冷散熱板

IGBT模塊需要承受幾百安的電流，每秒開關(guān)達(dá)到上千次，功耗耗較大。且其與電機(jī)、引擎等位于空間密閉的汽車前車倉(cāng)內(nèi)，熱量較為集中如果溫度長(zhǎng)時(shí)間超過(guò)其結(jié)溫，會(huì)導(dǎo)致模塊燒毀影響整車的運(yùn)行。大功率IGBT模塊的散熱大多采用液冷的散熱設(shè)計(jì)。

液冷裝置已成為車規(guī)級(jí)IGBT伴生產(chǎn)品，市場(chǎng)需求增速和電動(dòng)汽車增速保持一致。因車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的高可靠性要求，對(duì)液冷的微流道設(shè)計(jì)，離子溢出控制，以及焊接帶來(lái)的變形量控制，目前思萃已掌握核心工藝和制程。

? 原材料: AISiC(SiC含量15-65%可調(diào))
? 成型工藝:鑄造/CNC/熱擠壓+CNC
? 力學(xué)性能:抗拉強(qiáng)度>500Mpa；屈服強(qiáng)度>350Gpa
? 適用溫度區(qū)間:-150℃-550℃
? 尺寸精度:±0.003mm
? 表面處理: 鍍鎳/金/陽(yáng)極氧化
? 高溫考核:450℃15min
? 適用領(lǐng)域:鋁碳化硅應(yīng)用于抗熱形變結(jié)構(gòu)件、耐磨結(jié)構(gòu)件、輕量化航空、航天結(jié)構(gòu)件、精密儀器和裝備等領(lǐng)域

? 材料特性:熱導(dǎo)率高、線膨脹系數(shù)可調(diào)，尺寸穩(wěn)定性好，強(qiáng)度高，密度小，抗震性好，替代航空鋁及鈦合金；耐磨性高

? 原材料: AISiC (SiC含量15-70%可調(diào))
? 成型工藝: CNC/模具鑄造+CNC
? 材料特性: 熱導(dǎo)率>200(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)7(CTEppm/℃)，密度3.0 g/cm³
? 氣密性: 10^9atm-m³/s
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB2440A-2006
? 尺寸精度: ±0.05mm
? 最小設(shè)計(jì)厚度:0.5mm
? 焊接方式:引線:金錫焊接；蓋板:金錫焊/平行封焊
? 鍍層處理: 化學(xué)鎳/化學(xué)鎳金，鍍層厚度鎳5.0-11.0μm，金≥1.3μm
? 鹽霧時(shí)間: 48hrs
? 高溫考核:450℃15min
? 適用領(lǐng)域:功率電子、電力電子、功率微波、光電轉(zhuǎn)換、通信基站信號(hào)放大器、混合電路等領(lǐng)域

? 原材料: AISi(Si含量27-70%可調(diào))
? 成型工藝:CNC
? 氣密性:10^9atm-m³/s
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB2440A-2006
? 尺寸精度:±0.05mm
? 焊接方式:管殼需配封口環(huán)；引線:金錫焊接；蓋板:金錫焊
? 鍍層處理: 化學(xué)鎳/化學(xué)鎳金，鍍層厚度鎳1.3-11.3μm，金≥1.3μm
? 鹽霧時(shí)間: 48hrs
? 高溫考核:450℃15min
? 適用領(lǐng)域:功率電子、電力電子、功率微波、光電轉(zhuǎn)換、通信基站信號(hào)放大器、混合電路等領(lǐng)域

? 材料特性:熱導(dǎo)率高、價(jià)格相對(duì)便宜、線膨脹系數(shù)可調(diào)，密度小

? 原材料:金剛石顆粒/鋁合金
? 結(jié)構(gòu):平板帶結(jié)構(gòu)類
? 厚度范圍: 0.5-8mm
? 尺寸范圍:<350mm
? 成型工藝:真空熱壓/雙面研磨/激光切割
? 平面度:<0.05
? 粗糙度: Ra0.4
? 材料特性: 熱導(dǎo)率>400(W/mK) 25℃，熱膨脹系數(shù)6-9(CTEppm/℃)，密度3.0 g/cm³
? 鍍層處理: 化學(xué)鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度10-20μm/鎳金
? 鹽霧時(shí)間: 48hrs
? 高溫考核:450℃10min
? 應(yīng)用封裝:激光二極管產(chǎn)品封裝，功率轉(zhuǎn)換器模塊封裝，倒裝芯片封裝，固態(tài)激光器封裝

? 材料優(yōu)勢(shì):成分可調(diào)，可根據(jù)客戶需要調(diào)整金剛石含量；可鍍性好,表面鍍鎳、銀、金；熱膨脹系數(shù)與SkCaAs和GaN等良好匹配

金剛石鋁性能參數(shù)表

? 原材料:金剛石顆粒/銅合金
? 結(jié)構(gòu):平板帶結(jié)構(gòu)類
? 厚度范圍:0.5-8mm
? 尺寸范圍:<350mm
? 成型工藝:真空熱壓/雙面研磨/激光切割
? 平面度:<0.05
? 粗糙度: Ra0.4
? 材料特性:熱導(dǎo)率>450(W/mk) 25℃，熱膨脹系數(shù)5-8(CTEppm/℃)，密度6.0 g/cm³
? 鍍層處理: 化學(xué)鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度10-20μm/鎳金；
? 鹽霧時(shí)間: 48hrs
? 高溫考核:450℃10min
? 應(yīng)用封裝:光通信領(lǐng)域產(chǎn)品封裝，COS系列器件封裝，T/R組件封裝
? 材料優(yōu)勢(shì):成分可調(diào)，可根據(jù)客戶需要調(diào)整金剛石含量；可鍍性好,表面鍍鎳、銀、金；熱膨脹系數(shù)與Si、GaAs和GaN等良好匹配

金剛石鋁性能參數(shù)表