北京時間2022年2月27日11時06分，我國在文昌發(fā)射場使用長征八號運載火箭，以“1箭22星”方式，成功將泰景三號01衛(wèi)星、泰景四號01衛(wèi)星、海南一號01/02星等共22顆衛(wèi)星發(fā)射升空。本次飛行試驗搭載了22顆衛(wèi)星，創(chuàng)中國一箭多星最高紀(jì)錄。

本次發(fā)射的22顆衛(wèi)星總計完成12次分離動作，在此過程中，長八火箭宛如跳了一出‘芭蕾’，而22顆星的釋放就如‘天女散花’一般。三層式多星分配器從下到上分別由錐形支架、中心承力筒和圓盤平臺組成。其中，錐形支架搭載2顆衛(wèi)星，中心承力筒搭載14顆衛(wèi)星，圓盤平臺搭載6顆衛(wèi)星，完美將22顆衛(wèi)星裝進整流罩中。

由多個小衛(wèi)星“拼車”完成的“共享發(fā)射”新模式，既可充分發(fā)揮火箭能力，又能有效滿足市場需求。隨著電子元器件和衛(wèi)星有效載荷技術(shù)的快速發(fā)展，衛(wèi)星的功能也越來越強大。重量只有幾公斤到幾十公斤的微納衛(wèi)星、甚至更小的皮衛(wèi)星就可以完成很多過去只有大衛(wèi)星才能完成的任務(wù)。

長征八號新構(gòu)型首飛，同時創(chuàng)造了我國“一箭多星”的新紀(jì)錄，這實在是一件值得驕傲的事！未來，中國航天必將會帶來更多驚喜，我們拭目以待！

加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 ，你知道嗎，下面我們一起了解一下吧。

鋁碳化硅是一種新型復(fù)合材料，它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，鋁碳化硅的應(yīng)用前景也會變得越來越廣泛，在近幾年人們也比較注重于這領(lǐng)域當(dāng)中。目前在國內(nèi)生產(chǎn)鋁碳化硅雕銑機的廠家雖然是有的，但是還是很少，許多加工企業(yè)對于這種鋁碳化硅的新型材料接觸還是比較少的。其實鋁碳化硅雕銑機也是屬于數(shù)控機床的一種，我們在普通雕銑機的原基礎(chǔ)上，經(jīng)過研發(fā)創(chuàng)新的一種可以加工鋁碳化硅的專用雕銑機。

鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，采用的是Al合金作基體，按設(shè)計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能，充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，成為新一代電子封裝材料選擇。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域，是解決熱學(xué)管理問題的先選材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力。

如果想要對鋁碳化硅進行精密加工，選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機。也并不是說普通雕銑機就不可以加工鋁碳化硅，但是使用普通雕銑機的機床防護性能比較差，而在加工鋁碳化硅過程中會產(chǎn)生大量粉塵容易進入機床導(dǎo)軌和絲桿，導(dǎo)致加工精度下滑，也容易導(dǎo)致減少機床的使用壽命。那為什么選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機呢？因為鋁碳化硅雕銑機具備了優(yōu)異的機床防護性能，Y軸采用的是盔甲防護罩+風(fēng)琴防護罩，有效防止在加工鋁碳化硅過程中的粉塵進入機床導(dǎo)軌以及絲杠內(nèi)部；并且我們還優(yōu)化了機床鑄件的結(jié)構(gòu)，將機床在運行過程中產(chǎn)生的振動降到低，確保鋁碳化硅的加工精度更高。

鋁碳化硅結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁綜合優(yōu)越性能，成為新一代電子封裝材料中選擇。目前這種鋁碳化硅的新型材料現(xiàn)在有越來越多的人們知道，用途逐漸的被開發(fā)出來，新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力，而作為鋁碳化硅的專用雕銑機：鋁碳化硅雕銑機也會具有很大的市場潛力。

以上是加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 的介紹，提供大家參考。

AlSiC即鋁碳化硅 ，是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，業(yè)內(nèi)又稱碳化硅鋁或“奧賽克”。根據(jù)碳化硅的含量分為低體積分?jǐn)?shù)、中體積分?jǐn)?shù)和高體積分?jǐn)?shù)，其中電子材料應(yīng)用以高體積分?jǐn)?shù)為主。電子封裝中常用的有AlSiC7、AlSiC8系列。你了解多少，下面一起了解一下吧。

■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣，整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中比較高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首 選材料。

■ AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

以上是AlSic有哪些性能特點的介紹，提供大家參考。