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封裝AlSiC的應用有哪些?

發(fā)布時間:2022-06-25   瀏覽次數(shù):394次
AlSiC鋁基碳化硅是目前機加工領域中相對比較偏門的門類,這種材料和金屬及陶瓷都不相同。它既有著陶瓷的硬度,又有著金屬的韌性,因此在加工的時候要特別注意,要摸清材料的加工特性,才能做出比較好的產品。今天小編就來說說AlSiC的相關內容,希望可以幫到大家。
一、封裝AlSiC的應用

IC產業(yè)的發(fā)展與其設計、測試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián),最終在市場應用中體現(xiàn)價值認同,良 性循環(huán)形成量產規(guī)模,實現(xiàn)經濟效益。封裝技術至關 重要,尤其是軍用產品一致采用金屬封裝、陶瓷封裝 結構,確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金 屬封裝氣密性高,散熱性好,形狀可多樣化,有圓形、 菱形、扁平形、淺腔與深腔形等,其材料難以滿足當 今航空航天、艦船、雷達、電子戰(zhàn)、精確打擊、天基和 ?;到y(tǒng)對大功率、微波器件封裝的需求。按目前 VLSI電路功耗的同一方法計算,未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度,現(xiàn)有的設計和封裝方法已不能滿 足功率SoC系統(tǒng)的需求。AlSiC恰好首先在這一領域 發(fā)揮作用,現(xiàn)以軍用為主,進而推向其他市場。

二、封裝AlSiC特性
封裝金屬材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬 底座與外殼,混合集成電路HIC的基片、底板、外 殼,構成導熱性能最好,總耗散功率提高到數(shù)十瓦, 全氣密封性,堅固牢靠的封裝結構,為芯片、HIC提 供一個高可靠穩(wěn)定的工作環(huán)境,具體材料性能是個首 選關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性 如表1所示。
在長期使用中,許多封裝尺寸、外形都已標準 化、系列化,存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片 封裝要求。例如,Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金)的CTE低,與芯片材料相近, 但其K值差、密度高、剛度低,無法全面滿足電子 封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應用需求。合金 是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素 所組成的金屬材料,具有其綜合的優(yōu)勢性能。隨之發(fā) 展的 M080 Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金 在熱傳導方面優(yōu)于Kovar,但其比重大于Kovar,仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。
常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝 需求存在性能上的差距,使得研發(fā)一種新型輕質金屬 封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需,引發(fā) 相關部門調試重視。經過近些年來的深入研究,AlSiC 取得產業(yè)化進展,相繼推動高硅鋁合金Si/Al實用化 進程,表2示出其主要性能與常用封裝材料的對比。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后,可克服目前金屬封裝材料的不足,獲得高K值、低 CTE、高強度、低密度導電性好的封裝材料。
從產業(yè)化趨勢看,AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造,還能與高散熱材料(金剛石、高熱傳導石墨等)的經濟性并存集成,滿足大批量倒裝芯片封 裝、微波電路模塊、光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求,同時也是大功率晶體管、絕緣柵雙極晶體管的優(yōu)選封裝材料,提供良好的熱循環(huán)及可靠性。
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22
2022.02
一箭22星

北京時間2022年2月27日11時06分,我國在文昌發(fā)射場使用長征八號運載火箭,以“1箭22星”方式,成功將泰景三號01衛(wèi)星、泰景四號01衛(wèi)星、海南一號01/02星22顆衛(wèi)星發(fā)射升空。本次飛行試驗搭載了22顆衛(wèi)星,創(chuàng)中國一箭多星最高紀錄。


本次發(fā)射的22顆衛(wèi)星總計完成12次分離動作,在此過程中,長八火箭宛如跳了一出‘芭蕾’,而22顆星的釋放就如‘天女散花’一般。三層式多星分配器從下到上分別由錐形支架、中心承力筒和圓盤平臺組成。其中,錐形支架搭載2顆衛(wèi)星,中心承力筒搭載14顆衛(wèi)星,圓盤平臺搭載6顆衛(wèi)星,完美將22顆衛(wèi)星裝進整流罩中。


由多個小衛(wèi)星“拼車”完成的“共享發(fā)射”新模式,既可充分發(fā)揮火箭能力,又能有效滿足市場需求。隨著電子元器件和衛(wèi)星有效載荷技術的快速發(fā)展,衛(wèi)星的功能也越來越強大。重量只有幾公斤到幾十公斤的微納衛(wèi)星、甚至更小的皮衛(wèi)星就可以完成很多過去只有大衛(wèi)星才能完成的任務。

長征八號新構型首飛,同時創(chuàng)造了我國“一箭多星”的新紀錄,這實在是一件值得驕傲的事!未來,中國航天必將會帶來更多驚喜,我們拭目以待!

28
2022.03
半導體材料發(fā)展前景

隨著物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)和人工智能驅動的新計算時代的發(fā)展,對半導體器件的需求日益增長,同時也催生了市場對半導體材料的需求,半導體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。在國家鼓勵半導體材料國產化的政策導向下,本土半導體材料廠商不斷提升半導體產品技術水平和研發(fā)能力,逐漸打破了國外半導體廠商的壟斷格局,推進中國半導體材料國產化進程,促進中國半導體材料行業(yè)的發(fā)展。


數(shù)據(jù)顯示,2017-2019年中國半導體材料市場規(guī)模逐年增長,從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計,2017-2020年全球62座新投產的晶圓廠中有26座來自中國大陸,占比超過40%,成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時代的來臨,汽車電動化進程拉動IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求,IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元,2020年到2026年將以7.5%的復合年增長率CAGR增長,預計2026年市場規(guī)模為84億美元新能源車應用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量,2020年市場規(guī)模為為5.09億美元2020-2026年的復合年增長率為23%,預計2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。


   隨著5G、智慧物聯(lián)網時代的到來,中國大陸的半導體產業(yè)得以在眾多領域實現(xiàn)快速與全面布局,正逐步驅使全球半導體產業(yè)從韓國、中國臺灣向中國大陸轉移。目前,我國已經成為最大的半導體市場,并且繼續(xù)保持最快的增速,預計半導體市場增長將持續(xù)帶動半導體材料行業(yè)快速發(fā)展。

23
2022.07
加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設備

加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設備 ,你知道嗎,下面我們一起了解一下吧。

鋁碳化硅是一種新型復合材料,它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,鋁碳化硅的應用前景也會變得越來越廣泛,在近幾年人們也比較注重于這領域當中。目前在國內生產鋁碳化硅雕銑機的廠家雖然是有的,但是還是很少,許多加工企業(yè)對于這種鋁碳化硅的新型材料接觸還是比較少的。其實鋁碳化硅雕銑機也是屬于數(shù)控機床的一種,我們在普通雕銑機的原基礎上,經過研發(fā)創(chuàng)新的一種可以加工鋁碳化硅的專用雕銑機。

鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱,采用的是Al合金作基體,按設計要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作增強體,構成有明顯界面的多組相復合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能,充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強度,成為新一代電子封裝材料選擇。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求,適用于航空、航天、高鐵及微波等領域,是解決熱學管理問題的先選材料,其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,新材料的鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。

如果想要對鋁碳化硅進行精密加工,選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機。也并不是說普通雕銑機就不可以加工鋁碳化硅,但是使用普通雕銑機的機床防護性能比較差,而在加工鋁碳化硅過程中會產生大量粉塵容易進入機床導軌和絲桿,導致加工精度下滑,也容易導致減少機床的使用壽命。那為什么選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機呢?因為鋁碳化硅雕銑機具備了優(yōu)異的機床防護性能,Y軸采用的是盔甲防護罩+風琴防護罩,有效防止在加工鋁碳化硅過程中的粉塵進入機床導軌以及絲杠內部;并且我們還優(yōu)化了機床鑄件的結構,將機床在運行過程中產生的振動降到低,確保鋁碳化硅的加工精度更高。

鋁碳化硅結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁綜合優(yōu)越性能,成為新一代電子封裝材料中選擇。目前這種鋁碳化硅的新型材料現(xiàn)在有越來越多的人們知道,用途逐漸的被開發(fā)出來,新材料的鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力,而作為鋁碳化硅的專用雕銑機:鋁碳化硅雕銑機也會具有很大的市場潛力。

以上是加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設備 的介紹,提供大家參考。

23
2022.07
AlSic有哪些性能特點

AlSiC即鋁碳化硅 ,是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱,業(yè)內又稱碳化硅鋁或“奧賽克”。根據(jù)碳化硅的含量分為低體積分數(shù)、中體積分數(shù)和高體積分數(shù),其中電子材料應用以高體積分數(shù)為主。電子封裝中常用的有AlSiC7、AlSiC8系列。你了解多少,下面一起了解一下吧。

■ AlSiC具有高導熱率(180~240W/mK)和可調的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的熱導率是可伐合金的十倍,芯片產生的熱量可以及時散發(fā)。這樣,整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調整,因此產品可按用戶的具體要求而靈活地設計,能夠真正地做到量體裁衣,這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當,比銅和Kovar輕得多,還不到Cu/W的五分之一,特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領域的應用。

■ AlSiC的比剛度(剛度除以密度)是所有電子材料中比較高的:是鋁的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是銅的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好,因此是惡劣環(huán)境(震動較大,如航天、汽車等領域)下的首 選材料。

■ AlSiC可以大批量加工,但加工的工藝取決于碳化硅的含量,可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等,表面也可以進行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上,用粘結劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是,與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學性能都是各向同性的。

以上是AlSic有哪些性能特點的介紹,提供大家參考。

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