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IGBT使用注意事項(xiàng)有哪些

發(fā)布時(shí)間:2022-08-12   瀏覽次數(shù):532次

IGBT是一種功率晶體管,運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長(zhǎng)等多種優(yōu)點(diǎn)。

IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽(yáng)極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時(shí)候存在很小的電阻,通過(guò)接通或斷開(kāi)控制極來(lái)控制陰極和陽(yáng)極之間的接通和關(guān)斷。IGBT使用注意事項(xiàng)有哪些我們一起了解一下吧。

IGBT使用注意事項(xiàng)

(1)操作過(guò)程中要佩戴防靜電手環(huán);

(2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;

(3)IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶(hù)用接插件引線(xiàn)時(shí)取下防靜電材料立即插上引線(xiàn);

(4)在焊接作業(yè)時(shí),設(shè)備容易引起靜電的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請(qǐng)先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。

IGBT如何保管

1、一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機(jī)加濕。

2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣或灰塵較多的場(chǎng)合。

3、在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。

4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時(shí)不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。

以上是IGBT使用注意事項(xiàng)有哪些的介紹,提供大家參考。

22
2022.02
一箭22星

北京時(shí)間2022年2月27日11時(shí)06分,我國(guó)在文昌發(fā)射場(chǎng)使用長(zhǎng)征八號(hào)運(yùn)載火箭,以“1箭22星”方式,成功將泰景三號(hào)01衛(wèi)星、泰景四號(hào)01衛(wèi)星、海南一號(hào)01/02星22顆衛(wèi)星發(fā)射升空。本次飛行試驗(yàn)搭載了22顆衛(wèi)星,創(chuàng)中國(guó)一箭多星最高紀(jì)錄。


本次發(fā)射的22顆衛(wèi)星總計(jì)完成12次分離動(dòng)作,在此過(guò)程中,長(zhǎng)八火箭宛如跳了一出‘芭蕾’,而22顆星的釋放就如‘天女散花’一般。三層式多星分配器從下到上分別由錐形支架、中心承力筒和圓盤(pán)平臺(tái)組成。其中,錐形支架搭載2顆衛(wèi)星,中心承力筒搭載14顆衛(wèi)星,圓盤(pán)平臺(tái)搭載6顆衛(wèi)星,完美將22顆衛(wèi)星裝進(jìn)整流罩中。


由多個(gè)小衛(wèi)星“拼車(chē)”完成的“共享發(fā)射”新模式,既可充分發(fā)揮火箭能力,又能有效滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。隨著電子元器件和衛(wèi)星有效載荷技術(shù)的快速發(fā)展,衛(wèi)星的功能也越來(lái)越強(qiáng)大。重量只有幾公斤到幾十公斤的微納衛(wèi)星、甚至更小的皮衛(wèi)星就可以完成很多過(guò)去只有大衛(wèi)星才能完成的任務(wù)。

長(zhǎng)征八號(hào)新構(gòu)型首飛,同時(shí)創(chuàng)造了我國(guó)“一箭多星”的新紀(jì)錄,這實(shí)在是一件值得驕傲的事!未來(lái),中國(guó)航天必將會(huì)帶來(lái)更多驚喜,我們拭目以待!

28
2022.03
半導(dǎo)體材料發(fā)展前景

隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng),同時(shí)也催生了市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求,半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展的黃金期。在國(guó)家鼓勵(lì)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化的政策導(dǎo)向下,本土半導(dǎo)體材料廠(chǎng)商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力,逐漸打破了國(guó)外半導(dǎo)體廠(chǎng)商的壟斷格局,推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。


數(shù)據(jù)顯示,2017-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模逐年增長(zhǎng),從2017年的76億美元增長(zhǎng)至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計(jì),2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠(chǎng)中有26座來(lái)自中國(guó)大陸,占比超過(guò)40%,成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時(shí)代的來(lái)臨,汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程拉動(dòng)IGBT規(guī)模增長(zhǎng)。得益于對(duì)清潔能源高速增長(zhǎng)的需求,IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng),IGBT市場(chǎng)在2020年的規(guī)模為54億美元,2020年到2026年將以7.5%的復(fù)合年增長(zhǎng)率CAGR增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模為84億美元。新能源車(chē)應(yīng)用作為IGBT市場(chǎng)規(guī)模的重要增量,2020年市場(chǎng)規(guī)模為為5.09億美元,2020-2026年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為23%預(yù)計(jì)2026年新能源車(chē)用IGBT市場(chǎng)規(guī)模為17億美元。


   隨著5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái),中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速與全面布局,正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場(chǎng),并且繼續(xù)保持最快的增速,預(yù)計(jì)半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)將持續(xù)帶動(dòng)半導(dǎo)體材料行業(yè)快速發(fā)展。

23
2022.07
加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備

加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 ,你知道嗎,下面我們一起了解一下吧。

鋁碳化硅是一種新型復(fù)合材料,它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì),鋁碳化硅的應(yīng)用前景也會(huì)變得越來(lái)越廣泛,在近幾年人們也比較注重于這領(lǐng)域當(dāng)中。目前在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)鋁碳化硅雕銑機(jī)的廠(chǎng)家雖然是有的,但是還是很少,許多加工企業(yè)對(duì)于這種鋁碳化硅的新型材料接觸還是比較少的。其實(shí)鋁碳化硅雕銑機(jī)也是屬于數(shù)控機(jī)床的一種,我們?cè)谄胀ǖ胥姍C(jī)的原基礎(chǔ)上,經(jīng)過(guò)研發(fā)創(chuàng)新的一種可以加工鋁碳化硅的專(zhuān)用雕銑機(jī)。

鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱(chēng),采用的是Al合金作基體,按設(shè)計(jì)要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作增強(qiáng)體,構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能,充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì),具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度,成為新一代電子封裝材料選擇。鋁碳化硅封裝材料滿(mǎn)足了封裝的輕便化、高密度化等要求,適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域,是解決熱學(xué)管理問(wèn)題的先選材料,其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場(chǎng)潛力。

如果想要對(duì)鋁碳化硅進(jìn)行精密加工,選擇是選用鋁碳化硅專(zhuān)用雕銑機(jī)。也并不是說(shuō)普通雕銑機(jī)就不可以加工鋁碳化硅,但是使用普通雕銑機(jī)的機(jī)床防護(hù)性能比較差,而在加工鋁碳化硅過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量粉塵容易進(jìn)入機(jī)床導(dǎo)軌和絲桿,導(dǎo)致加工精度下滑,也容易導(dǎo)致減少機(jī)床的使用壽命。那為什么選擇是選用鋁碳化硅專(zhuān)用雕銑機(jī)呢?因?yàn)殇X碳化硅雕銑機(jī)具備了優(yōu)異的機(jī)床防護(hù)性能,Y軸采用的是盔甲防護(hù)罩+風(fēng)琴防護(hù)罩,有效防止在加工鋁碳化硅過(guò)程中的粉塵進(jìn)入機(jī)床導(dǎo)軌以及絲杠內(nèi)部;并且我們還優(yōu)化了機(jī)床鑄件的結(jié)構(gòu),將機(jī)床在運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的振動(dòng)降到低,確保鋁碳化硅的加工精度更高。

鋁碳化硅結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁綜合優(yōu)越性能,成為新一代電子封裝材料中選擇。目前這種鋁碳化硅的新型材料現(xiàn)在有越來(lái)越多的人們知道,用途逐漸的被開(kāi)發(fā)出來(lái),新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場(chǎng)潛力,而作為鋁碳化硅的專(zhuān)用雕銑機(jī):鋁碳化硅雕銑機(jī)也會(huì)具有很大的市場(chǎng)潛力。

以上是加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 的介紹,提供大家參考。

23
2022.07
AlSic有哪些性能特點(diǎn)

AlSiC即鋁碳化硅 ,是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱(chēng),業(yè)內(nèi)又稱(chēng)碳化硅鋁或“奧賽克”。根據(jù)碳化硅的含量分為低體積分?jǐn)?shù)、中體積分?jǐn)?shù)和高體積分?jǐn)?shù),其中電子材料應(yīng)用以高體積分?jǐn)?shù)為主。電子封裝中常用的有AlSiC7、AlSiC8系列。你了解多少,下面一起了解一下吧。

■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率(180~240W/mK)和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍,芯片產(chǎn)生的熱量可以及時(shí)散發(fā)。這樣,整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復(fù)合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過(guò)改變其組成而加以調(diào)整,因此產(chǎn)品可按用戶(hù)的具體要求而靈活地設(shè)計(jì),能夠真正地做到量體裁衣,這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無(wú)法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當(dāng),比銅和Kovar輕得多,還不到Cu/W的五分之一,特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對(duì)重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC的比剛度(剛度除以密度)是所有電子材料中比較高的:是鋁的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是銅的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好,因此是惡劣環(huán)境(震動(dòng)較大,如航天、汽車(chē)等領(lǐng)域)下的首 選材料。

■ AlSiC可以大批量加工,但加工的工藝取決于碳化硅的含量,可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等,表面也可以進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上,用粘結(jié)劑、樹(shù)脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是,與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

以上是AlSic有哪些性能特點(diǎn)的介紹,提供大家參考。

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