AlSiC鋁基碳化硅的性能特點有哪些?
一、AlSiC鋁基碳化硅的性能特點
1、AlSiC鋁基碳化硅具有高導熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導體芯片 和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導率是可伐合金的十倍，芯片 產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣，整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。
2、AlSiC鋁基碳化硅是復合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金 屬材料或陶瓷材料無法作到的。
3、AlSiC鋁基碳化硅的密度與鋁相當，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應用。
4、AlSiC鋁基碳化硅的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。
5、AlSiC鋁基碳化硅可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。
6、AlSiC鋁基碳化硅可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理。
8、AlSiC鋁基碳化硅本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
9、AlSiC鋁基碳化硅的物理性能及力學性能都是各向同性的。 使用AlSiC材料的意義
10、可以使集成電路的封裝性能大幅提高，使用鋁碳化硅材料進行電子封裝，使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致，并起到良好的導熱功能，解決了電路的熱失效問題；
11、批量使用AlSiC鋁基碳化硅材料，可以降低封裝成本。本公司對于長期和大批量的訂貨實行特別優(yōu)惠，比目前使用W-Cu、Mo等貴金屬材料價格要便宜得多；
12、有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領(lǐng)域封裝技術(shù)水平，提高功能，降低成本，加快我國航天和軍工產(chǎn)品的先進化。例如，過去以可伐（Kovar） 材料作為器件封裝外殼的地方，如果換作鋁碳化硅外殼，重量就可減少為原來的三分之一，而導熱性能則增加為原來的十倍。
13、AlSiC封裝材料的開發(fā)成功，標志著中國企業(yè)不再是在封裝領(lǐng)域內(nèi)一個單純的藍領(lǐng)和加工者的角色，而是已經(jīng)有了自己的具備獨立技術(shù)內(nèi)核的封裝領(lǐng)先產(chǎn)品，填 補了國內(nèi)空白，在封裝領(lǐng)域內(nèi)是一項巨大的技術(shù)進步；使用西安創(chuàng)正新材料有限公司生產(chǎn)的AlSiC,就是支持民族工業(yè)，為相關(guān)領(lǐng)域的國產(chǎn)化做貢獻。
14、優(yōu)優(yōu)越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的使用空間 AlSiC材料的性能 AlSiC7牌號密度3.0±0.05 g/cm3;抗彎強度400MPa體積分數(shù)：70±3%熱導：≥180W/Mk,20℃）比熱：0.75J/gk,20℃電阻率：2.1 x10-5 W·cm線膨脹系數(shù)8.0±0.5x10-6(50-150℃)
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隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，同時也催生了市場對半導體材料的需求，半導體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。在國家鼓勵半導體材料國產(chǎn)化的政策導向下，本土半導體材料廠商不斷提升半導體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力，逐漸打破了國外半導體廠商的壟斷格局，推進中國半導體材料國產(chǎn)化進程，促進中國半導體材料行業(yè)的發(fā)展。
數(shù)據(jù)顯示，2017-2019年中國半導體材料市場規(guī)模逐年增長，從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計，2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來自中國大陸，占比超過40%，成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時代的來臨，汽車電動化進程拉動IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求，IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長，IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元，從2020年到2026年將以7.5%的復合年增長率（CAGR）增長，預計2026年市場規(guī)模為84億美元。新能源車應用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量，2020年市場規(guī)模為為5.09億美元，2020-2026年的復合年增長率為23%，預計2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。
隨著5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時代的到來，中國大陸的半導體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速與全面布局，正逐步驅(qū)使全球半導體產(chǎn)業(yè)從韓國、中國臺灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。目前，我國已經(jīng)成為最大的半導體市場，并且繼續(xù)保持最快的增速，預計半導體市場增長將持續(xù)帶動半導體材料行業(yè)快速發(fā)展。
