鋁碳化硅（AlSiC）光電轉換器基座、襯底、外殼
一、鋁碳化硅（AlSiC）光電轉換器基座、襯底、外殼
光電轉換模塊在不斷向小型化、集成、高效方面發(fā)展。鋁碳化硅材料的優(yōu)良性能為光電模塊封裝提供了更好的設計空間。
鋁碳化硅材料可以一次性鑄造成光電模塊封裝需要的各種隔板、圍墻、圓角等形狀，而且批量生產可以使成本大幅降低，這使得光電模塊安裝與對齊非常方便。
鋁碳化硅材料優(yōu)良的導熱能力和匹配的低熱膨脹系數，使得兩種類型的光電模塊非常適合使用鋁碳化硅材料來封裝：一是光電系統(tǒng)需要反復開關而造成大量冷熱循環(huán)的情況；二是系統(tǒng)需要優(yōu)良的散熱能力以使光電系統(tǒng)能穩(wěn)定工作在接近室溫的溫度。
對于需要承受反復熱循環(huán)的光電模塊，鋁碳化硅材料的高執(zhí)導率、低熱膨脹系數可有效匹配光電器件的工作，降低光電器件工作期間的熱應力和熱阻。
對于需要長時間穩(wěn)定工作于一定溫度下的光電器件，如激光二極管等，高效的散熱能力成為主要關注點。封裝基座優(yōu)良的散熱能力對提升芯片光效以及穩(wěn)定熱電控制都有良好幫助。鋁碳化硅復合材料的高熱導能力使其在光電領域的應用非常廣泛。
二、AlSiC（鋁碳化硅）材料的目標特征有四個：
高熱導率；
高比剛度；
低密度。
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隨著物聯網、大數據和人工智能驅動的新計算時代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，同時也催生了市場對半導體材料的需求，半導體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。在國家鼓勵半導體材料國產化的政策導向下，本土半導體材料廠商不斷提升半導體產品技術水平和研發(fā)能力，逐漸打破了國外半導體廠商的壟斷格局，推進中國半導體材料國產化進程，促進中國半導體材料行業(yè)的發(fā)展。
數據顯示，2017-2019年中國半導體材料市場規(guī)模逐年增長，從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據統(tǒng)計，2017-2020年全球62座新投產的晶圓廠中有26座來自中國大陸，占比超過40%，成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時代的來臨，汽車電動化進程拉動IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求，IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長，IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元，從2020年到2026年將以7.5%的復合年增長率（CAGR）增長，預計2026年市場規(guī)模為84億美元。新能源車應用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量，2020年市場規(guī)模為為5.09億美元，2020-2026年的復合年增長率為23%，預計2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。
隨著5G、智慧物聯網時代的到來，中國大陸的半導體產業(yè)得以在眾多領域實現快速與全面布局，正逐步驅使全球半導體產業(yè)從韓國、中國臺灣向中國大陸轉移。目前，我國已經成為最大的半導體市場，并且繼續(xù)保持最快的增速，預計半導體市場增長將持續(xù)帶動半導體材料行業(yè)快速發(fā)展。
