鋁碳化硅材料（AlSiC）性能有哪些介紹
鋁碳化硅（AlSiC）金屬基熱管理復(fù)合材料，是電子元器件專用電子封裝材料，主要是指將鋁與高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的電子封裝材料，以解決電子電路的熱失效問題。下面我們一起了解一下鋁碳化硅材料（AlSiC）性能有哪些介紹 吧。
1) AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣，整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。
2) AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此電子產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的。
3) AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。
4) AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。
5) AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。
6) AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進(jìn)行陽極氧化處理。
7) 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。
8) AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷電子封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
9) AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。
由于AlSiC電子封裝材料及構(gòu)件具有高彈性模量、高熱導(dǎo)率、低密度的優(yōu)點(diǎn)， 而且可通過 SiC體積分?jǐn)?shù)和粘接劑添加量等來調(diào)整膨脹系數(shù)，實(shí)現(xiàn)與GaAs芯片和氧化鋁基板的熱匹配； 同時可近凈成形形狀復(fù)雜的構(gòu)件，因此生產(chǎn)成本也較低，使其在微波集成電路、功率模塊和微處器蓋板及散熱板等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。力學(xué)性能與用作結(jié)構(gòu)材料的鋁基復(fù)合材料相比, AlSiC 電子封裝材料的力學(xué)性能研究工作很少, 如果用作封裝外殼材料, 其力學(xué)性能也是結(jié)構(gòu)設(shè)計的重要數(shù)據(jù)。
以上是鋁碳化硅材料（AlSiC）性能有哪些介紹 的介紹，提供大家參考。
隨著新能源的普及，人們的生活離不開各種電器和交通工具。無論是家用電器還是地鐵等交通工具，都需要電力來驅(qū)動。而現(xiàn)在，各大汽車廠商紛紛推出新能源汽車，以滿足人們對環(huán)保和節(jié)能的需求。然而，無論是新能源車還是地鐵等 大型工具，在行駛過程中都容易因散熱問題出現(xiàn)故障。在這樣的情況下，如何解決散熱問題成為了熱議的話題。
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是功率變流裝置的核芯。廣泛應(yīng)用于電動/混合動力汽車、軌道交通、變頻家電、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。它具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)。
鋁碳化硅是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有優(yōu)秀的散熱性能。IGBT基板是鋁碳化硅材料做出的關(guān)于散熱的產(chǎn)品，應(yīng)用于高鐵模塊等領(lǐng)域。在新能源汽車中，IGBT所占整車約7%~10%的成本，是僅次于電池的第二高的成本元件。隨著新能源汽車的發(fā)展趨勢，IGBT將有著巨大的市場及潛力。
然而，IGBT雖然好用，但其對生產(chǎn)廠商技術(shù)要求較高。在工作時，IGBT基板會產(chǎn)生大量熱量。因此，要維持IGBT芯片正常工作就必須解決其散熱問題。另一方面，IGBT功率模塊的性能也取決于散熱性能程度。由此可見，IGBT基板散熱是十分重要的事情。
思萃熱控選擇了鋁碳化硅這種材料來解決IGBT散熱問題，達(dá)到了十分優(yōu)秀的結(jié)構(gòu)。鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(shù)特性，其膨脹系數(shù)與IGBT芯片十分接近。同時鋁碳化硅還具有密度小等特性，其密度只有銅的三分之一，可以說是IGBT散熱的完美材料。思萃熱控結(jié)合鋁碳化硅制作出的IGBT基板十分符合電動汽車高電壓、大功率等散熱要求。
