無(wú)氧銅的生產(chǎn)工藝是什么
無(wú)氧銅是指不含氧也不含任何脫氧劑殘留物的純銅。實(shí)際上還是含有非常微量氧和一些雜質(zhì)。按標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，氧的含量不大于0.03％，雜質(zhì)總含量不大于0.05％，銅的純度大于99.95％。 根據(jù)含氧量和雜質(zhì)含量，無(wú)氧銅又分為一號(hào)和二號(hào)無(wú)氧銅。一號(hào)無(wú)氧銅純度達(dá)到99.97％，氧含量不大于0.003％，雜質(zhì)總含量不大于0.03％；二號(hào)無(wú)氧銅純度達(dá)到99.95％，氧含量不大于0.003％，雜質(zhì)總含量不大于0.05％。無(wú)氧銅無(wú)氫脆現(xiàn)象，導(dǎo)電率高，加工性能和焊接性能、耐蝕性能和低溫性能均好。 OFC（無(wú)氧銅）：純度為99.995% 的金屬銅。下面我們一起了解一下無(wú)氧銅的生產(chǎn)工藝是什么吧。
一.無(wú)氧銅的生產(chǎn)工藝是什么
1.無(wú)氧銅由高純度陰極銅為原料，熔體用煅燒木炭覆蓋，熔爐，鑄造在密封條件下生產(chǎn)的氧含量在30×10-6以下的紫銅。含氧量極少的銅，具有純度高、導(dǎo)電、導(dǎo)熱性高，含氧量極低的無(wú)氧銅，加熱生成的氧化膜致密，不剝落，與玻璃釬焊封結(jié)性好，加工性能，焊接性，耐蝕性，耐寒性均好，無(wú)磁性，氫滲透率小，以及易于機(jī)械加工和成本低等特點(diǎn)，因而多年來(lái)被廣泛應(yīng)用與真空電子器件中，如，行波管殼和螺旋線，環(huán)桿慢波線，調(diào)速管的腔體，漂移管和調(diào)諧桿，磁控管的陽(yáng)極塊。真空開(kāi)關(guān)管的觸頭，電力電子器件的接觸塊等。
2.生產(chǎn)無(wú)氧銅的方法主要有兩種:一是真空爐熔煉技術(shù),二是工頻感應(yīng)爐熔煉技術(shù)。前一種方法是在真空條件下,采用中頻無(wú)芯感應(yīng)爐熔煉,生產(chǎn)出來(lái)的無(wú)氧銅純度高,含氧量可達(dá)0.0005%以下。但真空系統(tǒng)復(fù)雜且維修麻煩,生產(chǎn)成本高,產(chǎn)量低,在國(guó)外通常用于生產(chǎn)高要求的電真空無(wú)氧銅。
3.后一種方法是目前國(guó)外普遍采用的無(wú)氧銅生產(chǎn)技術(shù)。首先,陰極銅在預(yù)熱爐內(nèi)干燥、預(yù)熱,然后依次加入到專門設(shè)計(jì)的密封臥式工頻感應(yīng)爐中熔煉和保溫,經(jīng)立式連鑄機(jī)鑄造成鑄錠。產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、可靠。
而國(guó)內(nèi)大多數(shù)無(wú)氧銅生產(chǎn)企業(yè)由于訂單貨少原因,一般采用普通的立式工頻感應(yīng)爐,經(jīng)密封性改造后進(jìn)行無(wú)氧銅的熔煉。這種方式投資少,密封性能差,在木炭質(zhì)量不穩(wěn)定的情況下,產(chǎn)品質(zhì)量波動(dòng)大。
以上是無(wú)氧銅的生產(chǎn)工藝是什么的介紹，提供大家參考。
隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，同時(shí)也催生了市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求，半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展的黃金期。在國(guó)家鼓勵(lì)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化的政策導(dǎo)向下，本土半導(dǎo)體材料廠商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力，逐漸打破了國(guó)外半導(dǎo)體廠商的壟斷格局，推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。
數(shù)據(jù)顯示，2017-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模逐年增長(zhǎng)，從2017年的76億美元增長(zhǎng)至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來(lái)自中國(guó)大陸，占比超過(guò)40%，成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時(shí)代的來(lái)臨，汽車電動(dòng)化進(jìn)程拉動(dòng)IGBT規(guī)模增長(zhǎng)。得益于對(duì)清潔能源高速增長(zhǎng)的需求，IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，IGBT市場(chǎng)在2020年的規(guī)模為54億美元，從2020年到2026年將以7.5%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模為84億美元。新能源車應(yīng)用作為IGBT市場(chǎng)規(guī)模的重要增量，2020年市場(chǎng)規(guī)模為為5.09億美元，2020-2026年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為23%，預(yù)計(jì)2026年新能源車用IGBT市場(chǎng)規(guī)模為17億美元。
隨著5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái)，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速與全面布局，正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。目前，我國(guó)已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，并且繼續(xù)保持最快的增速，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)將持續(xù)帶動(dòng)半導(dǎo)體材料行業(yè)快速發(fā)展。
