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IGBT 散熱材料:淺析IGBT 雙面冷卻散熱優(yōu)勢

發(fā)布時間:2022-09-12   瀏覽次數(shù):1942次
一.IGBT的含義
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫,譯為絕緣柵雙極型晶體管,由BJT(雙極結(jié)晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)組成,是一種復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器,具有自動關(guān)斷的特性。優(yōu)點是能夠利用電壓控制,高耐壓,減小飽和壓,快速切換,節(jié)能等。
二、IGBT散熱材料的封裝結(jié)構(gòu)
IGBT芯片,DBC導(dǎo)熱基板,封裝材料,電連接端子等材料是IGBT散熱材料的封裝結(jié)構(gòu)的主要構(gòu)成材料,Si,SiC,GaN等是其芯片的主要,Si3N4,AL2O3,等是DBC覆銅陶瓷導(dǎo)熱基板的主要的陶瓷材料。
三、散熱問題影響產(chǎn)品性能
(一)單一冷卻散熱不足
傳統(tǒng)的冷卻結(jié)構(gòu)為單一冷卻,以功率芯片、鍵合線、功率端子、外框、絕緣基板(DBC)、底板以及內(nèi)部的灌封膠等為主要材料,它的工作模式是將底板固定在冷卻機表層,憑借絕緣基板、底板獨自將功率芯片損耗產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至散熱器,進行散熱。
這種方式的優(yōu)點是可以快速解決小熱量的散熱需求,但對于解決一些大熱量的散熱需求這樣的效果是遠遠不夠的。因為,單面散熱方案,傳輸熱量的通道有數(shù)量限制,且有很大的熱阻,使得芯片與散熱面的溫度相差很大,因此,在長期使用過程中,芯片容易因溫度過高而被毀壞。所以,隨著時代的發(fā)展,傳統(tǒng)的單面冷卻結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法承載現(xiàn)在的散熱需求,需要由此推進改變,從而承載現(xiàn)在的散熱需求。
(二)雙面冷卻散熱優(yōu)點

對于有些尺寸小功率高的部件,傳統(tǒng)的單一冷卻結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法滿足其散熱需求,因此,近幾年來,研究功率模塊的雙面冷卻結(jié)構(gòu)的人也越來越多。且相較于單面結(jié)構(gòu)散熱結(jié)構(gòu),雙面冷卻結(jié)構(gòu)在功率芯片的兩側(cè)增加了絕緣導(dǎo)熱基板,功率端子全部與絕緣導(dǎo)熱基板相連,在絕緣導(dǎo)熱基板的外側(cè)也安裝有散熱器??梢杂行У臏p小功率模塊的熱阻,同時減小體積及質(zhì)量,而且由于結(jié)構(gòu)的改進促使IGBT散熱材料的可靠性也有了一定的提升。

以上是本文全部內(nèi)容,提供大家參考。

22
2022.02
一箭22星

北京時間2022年2月27日11時06分,我國在文昌發(fā)射場使用長征八號運載火箭,以“1箭22星”方式,成功將泰景三號01衛(wèi)星、泰景四號01衛(wèi)星、海南一號01/02星22顆衛(wèi)星發(fā)射升空。本次飛行試驗搭載了22顆衛(wèi)星,創(chuàng)中國一箭多星最高紀錄。


本次發(fā)射的22顆衛(wèi)星總計完成12次分離動作,在此過程中,長八火箭宛如跳了一出‘芭蕾’,而22顆星的釋放就如‘天女散花’一般。三層式多星分配器從下到上分別由錐形支架、中心承力筒和圓盤平臺組成。其中,錐形支架搭載2顆衛(wèi)星,中心承力筒搭載14顆衛(wèi)星,圓盤平臺搭載6顆衛(wèi)星,完美將22顆衛(wèi)星裝進整流罩中。


由多個小衛(wèi)星“拼車”完成的“共享發(fā)射”新模式,既可充分發(fā)揮火箭能力,又能有效滿足市場需求。隨著電子元器件和衛(wèi)星有效載荷技術(shù)的快速發(fā)展,衛(wèi)星的功能也越來越強大。重量只有幾公斤到幾十公斤的微納衛(wèi)星、甚至更小的皮衛(wèi)星就可以完成很多過去只有大衛(wèi)星才能完成的任務(wù)。

長征八號新構(gòu)型首飛,同時創(chuàng)造了我國“一箭多星”的新紀錄,這實在是一件值得驕傲的事!未來,中國航天必將會帶來更多驚喜,我們拭目以待!

28
2022.03
半導(dǎo)體材料發(fā)展前景

隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展,對半導(dǎo)體器件的需求日益增長,同時也催生了市場對半導(dǎo)體材料的需求,半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。在國家鼓勵半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向下,本土半導(dǎo)體材料廠商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力,逐漸打破了國外半導(dǎo)體廠商的壟斷格局,推進中國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化進程,促進中國半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。


數(shù)據(jù)顯示,2017-2019年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模逐年增長,從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計,2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來自中國大陸,占比超過40%,成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時代的來臨,汽車電動化進程拉動IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求,IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長,IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元2020年到2026年將以7.5%的復(fù)合年增長率CAGR增長,預(yù)計2026年市場規(guī)模為84億美元新能源車應(yīng)用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量,2020年市場規(guī)模為為5.09億美元,2020-2026年的復(fù)合年增長率為23%,預(yù)計2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。


   隨著5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時代的到來,中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速與全面布局,正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國、中國臺灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場,并且繼續(xù)保持最快的增速,預(yù)計半導(dǎo)體市場增長將持續(xù)帶動半導(dǎo)體材料行業(yè)快速發(fā)展。

23
2022.07
加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備

加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 ,你知道嗎,下面我們一起了解一下吧。

鋁碳化硅是一種新型復(fù)合材料,它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,鋁碳化硅的應(yīng)用前景也會變得越來越廣泛,在近幾年人們也比較注重于這領(lǐng)域當中。目前在國內(nèi)生產(chǎn)鋁碳化硅雕銑機的廠家雖然是有的,但是還是很少,許多加工企業(yè)對于這種鋁碳化硅的新型材料接觸還是比較少的。其實鋁碳化硅雕銑機也是屬于數(shù)控機床的一種,我們在普通雕銑機的原基礎(chǔ)上,經(jīng)過研發(fā)創(chuàng)新的一種可以加工鋁碳化硅的專用雕銑機。

鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱,采用的是Al合金作基體,按設(shè)計要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作增強體,構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能,充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強度,成為新一代電子封裝材料選擇。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求,適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域,是解決熱學(xué)管理問題的先選材料,其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力。

如果想要對鋁碳化硅進行精密加工,選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機。也并不是說普通雕銑機就不可以加工鋁碳化硅,但是使用普通雕銑機的機床防護性能比較差,而在加工鋁碳化硅過程中會產(chǎn)生大量粉塵容易進入機床導(dǎo)軌和絲桿,導(dǎo)致加工精度下滑,也容易導(dǎo)致減少機床的使用壽命。那為什么選擇是選用鋁碳化硅專用雕銑機呢?因為鋁碳化硅雕銑機具備了優(yōu)異的機床防護性能,Y軸采用的是盔甲防護罩+風琴防護罩,有效防止在加工鋁碳化硅過程中的粉塵進入機床導(dǎo)軌以及絲杠內(nèi)部;并且我們還優(yōu)化了機床鑄件的結(jié)構(gòu),將機床在運行過程中產(chǎn)生的振動降到低,確保鋁碳化硅的加工精度更高。

鋁碳化硅結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁綜合優(yōu)越性能,成為新一代電子封裝材料中選擇。目前這種鋁碳化硅的新型材料現(xiàn)在有越來越多的人們知道,用途逐漸的被開發(fā)出來,新材料的鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力,而作為鋁碳化硅的專用雕銑機:鋁碳化硅雕銑機也會具有很大的市場潛力。

以上是加工鋁碳化硅用哪種數(shù)控設(shè)備 的介紹,提供大家參考。

23
2022.07
AlSic有哪些性能特點

AlSiC即鋁碳化硅 ,是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱,業(yè)內(nèi)又稱碳化硅鋁或“奧賽克”。根據(jù)碳化硅的含量分為低體積分數(shù)、中體積分數(shù)和高體積分數(shù),其中電子材料應(yīng)用以高體積分數(shù)為主。電子封裝中常用的有AlSiC7、AlSiC8系列。你了解多少,下面一起了解一下吧。

■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率(180~240W/mK)和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍,芯片產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣,整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復(fù)合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整,因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計,能夠真正地做到量體裁衣,這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當,比銅和Kovar輕得多,還不到Cu/W的五分之一,特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC的比剛度(剛度除以密度)是所有電子材料中比較高的:是鋁的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是銅的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好,因此是惡劣環(huán)境(震動較大,如航天、汽車等領(lǐng)域)下的首 選材料。

■ AlSiC可以大批量加工,但加工的工藝取決于碳化硅的含量,可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等,表面也可以進行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上,用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是,與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

以上是AlSic有哪些性能特點的介紹,提供大家參考。

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