IGBT 散熱材料:淺析IGBT 雙面冷卻散熱優(yōu)勢
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫,譯為絕緣柵雙極型晶體管,由BJT(雙極結(jié)晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)組成,是一種復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器,具有自動關(guān)斷的特性。優(yōu)點是能夠利用電壓控制,高耐壓,減小飽和壓,快速切換,節(jié)能等。
二、IGBT散熱材料的封裝結(jié)構(gòu)
IGBT芯片,DBC導(dǎo)熱基板,封裝材料,電連接端子等材料是IGBT散熱材料的封裝結(jié)構(gòu)的主要構(gòu)成材料,Si,SiC,GaN等是其芯片的主要,Si3N4,AL2O3,等是DBC覆銅陶瓷導(dǎo)熱基板的主要的陶瓷材料。
三、散熱問題影響產(chǎn)品性能
(一)單一冷卻散熱不足
傳統(tǒng)的冷卻結(jié)構(gòu)為單一冷卻,以功率芯片、鍵合線、功率端子、外框、絕緣基板(DBC)、底板以及內(nèi)部的灌封膠等為主要材料,它的工作模式是將底板固定在冷卻機表層,憑借絕緣基板、底板獨自將功率芯片損耗產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至散熱器,進行散熱。
這種方式的優(yōu)點是可以快速解決小熱量的散熱需求,但對于解決一些大熱量的散熱需求這樣的效果是遠遠不夠的。因為,單面散熱方案,傳輸熱量的通道有數(shù)量限制,且有很大的熱阻,使得芯片與散熱面的溫度相差很大,因此,在長期使用過程中,芯片容易因溫度過高而被毀壞。所以,隨著時代的發(fā)展,傳統(tǒng)的單面冷卻結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法承載現(xiàn)在的散熱需求,需要由此推進改變,從而承載現(xiàn)在的散熱需求。
(二)雙面冷卻散熱優(yōu)點
對于有些尺寸小功率高的部件,傳統(tǒng)的單一冷卻結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法滿足其散熱需求,因此,近幾年來,研究功率模塊的雙面冷卻結(jié)構(gòu)的人也越來越多。且相較于單面結(jié)構(gòu)散熱結(jié)構(gòu),雙面冷卻結(jié)構(gòu)在功率芯片的兩側(cè)增加了絕緣導(dǎo)熱基板,功率端子全部與絕緣導(dǎo)熱基板相連,在絕緣導(dǎo)熱基板的外側(cè)也安裝有散熱器??梢杂行У臏p小功率模塊的熱阻,同時減小體積及質(zhì)量,而且由于結(jié)構(gòu)的改進促使IGBT散熱材料的可靠性也有了一定的提升。
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數(shù)據(jù)顯示,2017-2019年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模逐年增長,從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計,2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來自中國大陸,占比超過40%,成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時代的來臨,汽車電動化進程拉動IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求,IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長,IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元,從2020年到2026年將以7.5%的復(fù)合年增長率(CAGR)增長,預(yù)計2026年市場規(guī)模為84億美元。新能源車應(yīng)用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量,2020年市場規(guī)模為為5.09億美元,2020-2026年的復(fù)合年增長率為23%,預(yù)計2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。
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