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鋁碳化硅散熱蓋——高性能電子設(shè)備的理想散熱解決方案

發(fā)布時(shí)間:2024-02-22   瀏覽次數(shù):407次

在現(xiàn)代電子設(shè)備中,散熱問(wèn)題一直是關(guān)鍵因素,它直接影響設(shè)備的性能和使用壽命。隨著科技的進(jìn)步,鋁碳化硅散熱蓋因其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,已成為解決這一問(wèn)題的理想選擇。

鋁碳化硅散熱蓋的材料特性賦予了它多重優(yōu)勢(shì)。首先,它的密度低,但比剛度高,這意味著在保持結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的同時(shí),它還能有效地減輕整體重量。此外,它的熱膨脹系數(shù)低,導(dǎo)熱率高,這使得鋁碳化硅散熱蓋在高溫環(huán)境下也能保持出色的穩(wěn)定性,迅速將熱量傳導(dǎo)出去,防止設(shè)備過(guò)熱。

與傳統(tǒng)的鈦合金和鋁合金相比,鋁碳化硅散熱蓋的性能表現(xiàn)更為突出。它的彈性模量分別是鈦合金和鋁合金的2倍和3倍,比剛度也是它們的3倍。在熱膨脹系數(shù)方面,鋁碳化硅散熱蓋可以比鈦合金低20%,而在導(dǎo)熱率上,它更是鈦合金的30倍。這些優(yōu)勢(shì)使得鋁碳化硅成為替代傳統(tǒng)合金的理想材料,特別適用于要求高穩(wěn)定性、高導(dǎo)熱率和高功率的電子設(shè)備。

鋁碳化硅散熱蓋——高性能電子設(shè)備的理想散熱解決方案

在實(shí)際應(yīng)用中,鋁碳化硅散熱蓋的應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,它可以用于氣浮裝置、真空吸盤(pán)等設(shè)備,確保這些設(shè)備在高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)依然保持低溫穩(wěn)定。在微波領(lǐng)域,鋁碳化硅散熱蓋是射頻、微波和毫米波封裝的理想選擇,能夠有效提升這些設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。

此外,鋁碳化硅散熱蓋還廣泛應(yīng)用于功率封裝領(lǐng)域,如電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車等IGBT及MOSFET功率模塊封裝。在這些高功率設(shè)備中,鋁碳化硅散熱蓋能夠迅速將產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出,確保設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

同時(shí),鋁碳化硅散熱蓋還適用于復(fù)雜光電器載片、發(fā)光二極管、高性能PCB夾層以及微處理器蓋板和散熱器等領(lǐng)域。無(wú)論是作為光電轉(zhuǎn)換器、激光器件的載片,還是大功率LED的散熱解決方案,甚至是CPU和MPU芯片的蓋板或底層散熱件,鋁碳化硅散熱蓋都能提供出色的散熱性能和穩(wěn)定性。


18
2022.07
鋁碳化硅材料(AlSiC)性能有哪些介紹

鋁碳化硅(AlSiC)金屬基熱管理復(fù)合材料,是電子元器件專用電子封裝材料,主要是指將鋁與高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的電子封裝材料,以解決電子電路的熱失效問(wèn)題。下面我們一起了解一下鋁碳化硅材料(AlSiC)性能有哪些介紹 吧。

1) AlSiC具有高導(dǎo)熱率(170~200W/mK)和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍,芯片產(chǎn)生的熱量可以及時(shí)散發(fā)。這樣,整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

2) AlSiC是復(fù)合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過(guò)改變其組成而加以調(diào)整,因此電子產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計(jì),能夠真正地做到量體裁衣,這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無(wú)法作到的。

3) AlSiC的密度與鋁相當(dāng),比銅和Kovar輕得多,還不到Cu/W的五分之一,特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對(duì)重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

4) AlSiC的比剛度(剛度除以密度)是所有電子材料中最高的:是鋁的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是銅的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷好,因此是惡劣環(huán)境(震動(dòng)較大,如航天、汽車等領(lǐng)域)下的首選材料。

5) AlSiC可以大批量加工,但加工的工藝取決于碳化硅的含量,可以用電火花、金剛石、激光等加工。

6) AlSiC可以鍍鎳、金、錫等,表面也可以進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。

7) 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上,用粘結(jié)劑、樹(shù)脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

8) AlSiC本身具有較好的氣密性。但是,與金屬或陶瓷電子封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

9) AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

由于AlSiC電子封裝材料及構(gòu)件具有高彈性模量、高熱導(dǎo)率、低密度的優(yōu)點(diǎn), 而且可通過(guò) SiC體積分?jǐn)?shù)和粘接劑添加量等來(lái)調(diào)整膨脹系數(shù),實(shí)現(xiàn)與GaAs芯片和氧化鋁基板的熱匹配; 同時(shí)可近凈成形形狀復(fù)雜的構(gòu)件,因此生產(chǎn)成本也較低,使其在微波集成電路、功率模塊和微處器蓋板及散熱板等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。力學(xué)性能與用作結(jié)構(gòu)材料的鋁基復(fù)合材料相比, AlSiC 電子封裝材料的力學(xué)性能研究工作很少, 如果用作封裝外殼材料, 其力學(xué)性能也是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的重要數(shù)據(jù)。

以上是鋁碳化硅材料(AlSiC)性能有哪些介紹 的介紹,提供大家參考。

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2023.09
蘇州思萃熱控材料參加2023年P(guān)CIM Asia上海展會(huì)

近日,蘇州思萃熱控材料科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“思萃熱控”)參加了2023年P(guān)CIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì),該展覽會(huì)于8月29至31日在上海新國(guó)際博覽中心W2館隆重舉行

PCIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)是PCIM Europe在亞洲地區(qū)的姐妹展。自2002年在中國(guó)首辦以來(lái),迄今已成功舉辦過(guò)20屆的PCIM Asia仍然是中國(guó)市場(chǎng)少有的專注于電力電子領(lǐng)域及該技術(shù)在國(guó)家電網(wǎng)、工業(yè)、軌道交通、智能運(yùn)動(dòng)及電動(dòng)車技術(shù)應(yīng)用解決方案的專業(yè)商貿(mào)平臺(tái)。


作為一家長(zhǎng)期從事熱管理方案設(shè)計(jì)與新型材料加工研究的企業(yè),思萃熱控致力于新一代半導(dǎo)體、微電子、熱管理方案設(shè)計(jì),封裝散熱材料,散熱模組的研發(fā)生產(chǎn)及銷售。此次參展思萃熱控旨在向業(yè)界展示其最新的技術(shù)成果和產(chǎn)品,主要包括——銅材產(chǎn)品:半導(dǎo)體封裝用均熱片、IGBT模塊封裝用銅散熱底板;鋁碳化硅材料及相關(guān)產(chǎn)品:主要分為軍工航天芯片封裝用散熱片、高鐵用高壓IGBT模塊散熱底板、功率器件管殼三類產(chǎn)品;液冷板:新能源汽車電驅(qū)等領(lǐng)域使用。


目前,思萃熱控已開(kāi)發(fā)出多種金屬基復(fù)合材料產(chǎn)品: 鋁碳化硅復(fù)合材料結(jié)構(gòu)件、鋁碳化硅熱沉、鋁碳化硅IGBT基板、無(wú)氧銅蓋板、銅金剛石散熱片等產(chǎn)品,為微波器件、大功率器件、微電子器件等制造商提供專業(yè)的熱管理方案,廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、航空航天等領(lǐng)域,是新一代大功率電子器件散熱材料的優(yōu)異選擇。

展會(huì)期間,思萃熱控的展位吸引了眾多專業(yè)人士和業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注。展位上的工作人員耐心地向觀眾介紹了公司的產(chǎn)品特點(diǎn)和技術(shù)優(yōu)勢(shì),并與來(lái)訪者進(jìn)行了深入的交流。許多專業(yè)人士對(duì)思萃熱控的創(chuàng)新散熱材料表達(dá)了濃厚的興趣。

未來(lái),思萃熱控也將繼續(xù)加大研發(fā)力度,不斷提升產(chǎn)品的技術(shù)水平和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,為電子產(chǎn)品的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。


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